为留念集成电路创造60周年，由中国电子学会、国家自然科学基金委员会信息科学部、中国科学院信息技能科学部、中国工程院信息与电子工程学部一同主办的“留念集成电路创造60周年学术会议”于10月11日在清华大学举办。 60年的集成电路开展史，实质上是一部不断创造、不断立异的文明史，每一项新的创造，都能够拓荒一片全新的使用范畴。跟着集成电路加工技能的行进，现在，在1平方厘米的硅片上现已能够集成超越50亿个晶体管，成为能够把信息收集、信息存储、信息处理、信息传输和信息履行于一身的、众所周知的“芯片”。现在，芯片与软件一同，正在改变着咱们的生产方式和生活方式，名副其实地成为推动经济高质量开展和保证国家安全的要害中心技能，成为大国之间比赛的中心竞争力。

　　中科院院士、国家自然科学基金委员会信息科学部主任、西安电子科技大学教授郝跃院士做了题为《宽禁带与超宽禁带半导体器材新开展》的陈述。郝跃院士详细讲解了第三代半导体资料的优势。郝跃院士首要征引了凯文凯利最新力作《科技想要什么》中所说到的，“现在芯片商的晶体管数目现已足以履行人类想要的功用，仅仅咱们不知道要怎么做。”，第二句则是“摩尔规律不变的曲线有助于把金钱和智力会集到一个十分详细的目标上，也便是不违反规律。工业街的每个人都理解，假如跟不上曲线，就会落后，这便是一种自驱动行进。”

　　假如摩尔规律不再见效，或许传统硅技能无法满意某些需求之时该怎么办？这时分就需要在资料上下功夫。实际上学术界和工业界也一直在找寻新的半导体资料。第一代硅锗工艺20世纪50年代就诞生了，之后磷化铟和砷化镓工艺在80年代诞生，现在第三代宽禁带与超宽禁带半导体越来越得到注重，其间宽禁带半导体商用化程度越来越高，包含氮化镓、碳化硅等，而超宽禁带半导体包含金刚石、氧化镓和氮化铝等研讨也有了开展。

　　郝跃院士表明，关于器材来说，既期望有低导通电阻一起又期望有高击穿电压，但这永远是对立体，所以需要靠资料立异来处理导通电阻和击穿电压联系。

　　郝跃院士表明，宽禁带半导体具有高温、高压、高电流、低导通电阻以及高开关频率等特性，可广泛使用在高压、高频、高温以及高可靠性等范畴。

　　郝跃院士表明，氮化物资料系统总的开展态势十分杰出，首要在光电LED范畴现已取得了巨大成功；微波电子器材范畴开端得到了广泛使用，尤其是在移动通讯范畴和国防范畴（雷达、电子对抗、卫星通讯等。）

　　郝跃院士介绍了西电320GHz毫米波器材，使用高界面质量的凹槽半悬空栅技能，器材的fmax达320GHz，在输出功率密度必定的情况下，功率附加功率在30GHz频率下为现在世界GaN基HEMT中最高值。

　　因为氮化物具有高耐压及低损耗等特色，现已被电力电子使用重视。郝跃院士等人宣布在2018 IEEE EDL上的一个新结构GaN肖特基微波功率二极管，具有现在最好的BV Ron，sp，更接近GaN Baliga理论曲线。

　　如图所示，硅基氮化镓的未来有两条路，一条是高功率的模块化产品，一条是SoC化，集成更多被迫元件、射频驱动等。

　　郝跃院士介绍道，单晶金刚石资料生长现在现已能够实现在单个衬底上生成12mm*11mm*1.5mm的安稳单晶金刚石，结晶质量到达元素六电子级单晶产品水平，生长速度大渔20m/h。

　　郝跃院士表明，金刚石因为原子密度大，掺杂和导电比较困难，所以留意依托“氢终端表面电导”制备场效应管，不过表面电导存在迁移率低、方阻大等问题，一起也不行安稳，导电随环境、湿度、温度改变，对酸碱环境都比较灵敏。

　　可是，金刚石的特性十分之好，在氢终端金刚石场效应管的栅极下方引进具有搬运掺杂效果的介质MoO3，RON降低到平等栅长MOSFET器材的1/3，跨导进步约3倍。

　　最终，郝跃院士用基尔比创造集成电路和取得诺贝尔奖时分的相片进行比照，并期望学术界和工业界都抓住现在的机会，尽力前行。“现在宽禁带半导体上，国外公司比方CREE等，现已开宣布15000V的IGBT，而在SiC和IGBT方面，国内已有了必定的开展，但相对仍是缓慢。”郝跃院士说道。

　　会上王阳元院士、许居衍院士、 卢出众院士、王曦院士、刘明院士等多位重量级嘉宾别离以“立异镌刻青史，探究孕育未来留念六十年 展望一世纪”、“迎候可重构芯片浪潮”、“科技创智将引领指数型经济生长：IC4.0加乘PI/AI之新纪元”、“智能传感器技能及工业开展趋势”、“半导体存储器技能”为题做了精彩的主题陈述。

　　会上还进行了2场圆桌对话。魏少军教授掌管的对话主题为“集成电路开展趋势”，陈左宁院士，郝跃院士，卢出众院士，严晓浪教授作为对话嘉宾，沟通和共享了各自关于集成电路开展的观念。

　　严晓浪教授掌管的对话主题为“集成电路人才培养与知识产权”，丁文武总裁、北京大学软件与微电子学院院长张兴教授，清华大学王志华教授，澜起科技杨崇和董事长作为对话嘉宾，别离从各自视点探讨了集成电路范畴人才培养和知识产权的问题。

　　此外，来自27所国家支撑建造和支撑准备建造的示范性微电子学院的高校代表，全国高等院校集成电路相关专业师生，有关政府部门、科研机构、企业和金融机构、媒体等代表，近800人到会了本次学术会议。